隨著社會(huì)的快速發(fā)展趨勢(shì)，各種電子設(shè)備充斥著我們的日常生活。電子設(shè)備中較重要的是電子元件。它們?cè)陔娫措娐肪S護(hù)中起著非常重要的作用。電源電路中如何設(shè)計(jì)方案？再說說電子元器件中的一個(gè)關(guān)鍵元件，MOS管是金屬材料（metal）-金屬氧化物（oxide）-半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者說金屬材料-絕緣體（insulator）-半導(dǎo)體。MOS管的源漏可以互換，都是P型的。在背柵N型區(qū)產(chǎn)生。MOS管的源漏可以互換，都是P型的。背柵N型區(qū)域。在大多數(shù)情況下，這兩個(gè)區(qū)域是相同的，交換側(cè)面不會(huì)損害組件的特性，這樣的組件被認(rèn)為是對(duì)稱的。

雙極MOS在引出端引出大電流變化后，管子將大電流變化置于輸入端電流。雙極晶體管的收獲定義為導(dǎo)出輸入電流的比率(beta)。另一種稱為MOSFET的晶體管將輸入工作電壓的變化轉(zhuǎn)換為導(dǎo)出電流的變化。FET采集等效于它的跨導(dǎo)，它將導(dǎo)出電流的變化定義為輸出工作電壓變化的比率。目前市場(chǎng)上經(jīng)常出現(xiàn)N溝道和P溝道，P通信一般為低壓mos管。

MOS導(dǎo)管在電纜護(hù)套上形成靜電場(chǎng)，影響流過晶體管的電流。事實(shí)上，沒有電流流過絕緣體，因此FET的柵極電流非常小。最常見的FET使用一層二氧化硅作為GATE下絕緣體。這種晶體稱為氫氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管或氫氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。由于MOS，它們?cè)谠S多應(yīng)用中取代了雙極晶體管。

MOS管優(yōu)點(diǎn)：

1.可以用來變大。由于FET放大器的高輸入阻抗和濾波電容的小尺寸，不需要電解電容。

2.高輸入阻抗特別適合功能阻抗轉(zhuǎn)換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)阻抗轉(zhuǎn)換。

3.可用作可調(diào)電阻。

4.可方便地用作直流電源。

5.可用作開關(guān)元件。

6、電路原理靈敏度高。柵極偏壓可以是正、負(fù)或負(fù)，三極管只在正偏壓下工作，整流管只在負(fù)偏壓下工作。此外，高輸入阻抗可以減緩信號(hào)源負(fù)載，方便前配對(duì)。